Method of manufacturing semiconductor device

반도체 소자의 제조방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 게이트 및 접합영역이 형성된 실리콘기판을 마련하는 단계와, 상기 게이트를 덮도록 기판의 전면 상에 제1층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1층간절연막을 식각하여 게이트 사이의 접합영역을 노출시키는 제1콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 제1콘택홀에 의해 노출된 접합영역 상에 실리콘층을 성장시키는 단계와, 상기 실리콘층에 의해 일부가 매립된 제1콘택홀을 포함한 기판의 전면 상에 제1Mo막과 제1MoN막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제1콘택홀이 매립되도록 제1MoN막 상에 제2Mo막을 형성하여 랜딩플러그를 형성하는 단계와, 상기 랜딩플러그를 포함한 기판의 전면 상에 제2층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2층간절연막 상에 비트라인을 형성하는 단계와, 상기 비트라인을 포함한 기판 결과물 상에 제3층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제3 및 제2층간절연막을 식각하여 랜딩플러그를 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 제2콘택홀을 포함한 기판의 전면 상에 제2MoN막을 형성하는 단계 및 상기 제2콘택홀이 매립되도록 제2MoN막 상에 제3Mo막을 형성하여 스토리노드 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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    US-8084326-B2December 27, 2011Hynix Semiconductor, Inc.Method for manufacturing semiconductor device