반도체소자 제조를 위한 고온 건식산화방법

Method of high-temperature dry oxidation for semiconductor fabrication

Abstract

본 발명은 고온 건식산화방법에 있어서, 초기의 저온 램프업단계까지만 O 2 를 미량 넣어주어 저온에서의 산화막의 성장을 최대한 억제시킴과 동시에 질화막의 성장을 방지하고, 주 산화공정온도까지 온도를 상승시킨 후에 공정안정화단계를 나누어 O 2 량을 점진적으로 늘려주며, 주 산화단계에서 희석된 O 2 를 사용함으로써 고온의 산화공정을 가능하게 하게 공정 균일도 개선 및 소자의 특성 향상을 도모한다. STI, 건식산화, 측벽산화막, 측벽희생산화막

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