반도체 소자의 제조 방법

Method for manufacturing a semiconductor device

Abstract

본 발명은 셀 영역에는 메모리 셀의 게이트가 형성되고, 주변회로 영역에는 트랜지스터의 게이트가 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계; 전체구조상부에 제 1 질화막을 형성하는 단계; 상기 주변회로 영역 차단 후, 제 1 전면식각 공정을 실시하여 상기 메모리 셀의 게이트 측벽에 상기 제 1 질화막을 잔류시키는 단계; 상기 셀 영역 및 주변회로 영역의 상기 반도체 기판에 이온 주입 공정을 실시하여 접합부를 형성하는 단계; 상기 셀 영역의 반도체 기판 상부에 선택적 산화공정을 실시하는 단계; 및 전체구조상부에 제 2 질화막을 형성한 후, 제 2 전면식각 공정을 실시하여 상기 메모리 셀의 게이트 및 트랜지스터의 게이트 양측면에 스페이서용 제 2 질화막을 잔류시키는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 낸드 플래시 디바이스(NAND Flash Device), 스페이서용 질화막, 셀 영역, 주변회로 영역, 선택적 산화

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